您好，欢迎来到优特美尔 登录 注册有礼
我的订单 会员中心
订单状态 询价历史 我的收藏 地址管理
QQ在线咨询 电话0755-83328606
DEGSON海康连接器端子储存器硬盘闪存卡
IC分立半导体传感器
询价列表
购物车
0
首页 产品目录表 品牌库 BOM配单 行业资讯 资质认证 关于我们 联系我们
首页 全部分类 FDC602P vs FDC638APZ

FDC602P备选型号: FDC638APZ

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 生命周期状态
  • 工厂交货时间
  • 触点镀层
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • 终端
  • ECCN 代码
  • 电阻
  • 电压 - 额定直流
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 额定电流
  • 通道数量
  • 电压
  • 元素配置
  • 电流
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 双电源电压
  • 最大结点温度（Tj）
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 质量
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 资历状况
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • ON Semiconductor
    FDC602P
    ON Semiconductor
    MOSFET P-CH 20V 5.5A SSOT-6
    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
    10 Weeks
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
    6
    SILICON
    5.5A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    2001
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    SMD/SMT
    EAR99
    35MOhm
    -20V
    DUAL
    鸥翼
    -5.5A
    1
    20V
    Single
    55A
    增强型MOSFET
    1.6W
    15 ns
    P-Channel
    SWITCHING
    35m Ω @ 5.5A, 4.5V
    1.5V @ 250μA
    1456pF @ 10V
    20nC @ 4.5V
    11ns
    ±12V
    11 ns
    -5.5A
    -900mV
    12V
    -20V
    -20V
    150°C
    -900 mV
    1.1mm
    3mm
    1.7mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDC638APZ
    ON Semiconductor
    ON SEMICONDUCTOR - FDC638APZ - Power MOSFET, P Channel, 20 V, 4.5 A, 0.037 ohm, SuperSOT, Surface Mount
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    13 Weeks
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
    6
    SILICON
    4.5A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    2006
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    SMD/SMT
    EAR99
    43MOhm
    -12V
    DUAL
    鸥翼
    -4.5A
    1
    -
    Single
    -
    增强型MOSFET
    1.6W
    6 ns
    P-Channel
    -
    43m Ω @ 4.5A, 4.5V
    1.5V @ 250μA
    1000pF @ 10V
    12nC @ 4.5V
    20ns
    ±12V
    20 ns
    -4.5A
    -800mV
    12V
    -20V
    -20V
    150°C
    -
    1.1mm
    3mm
    1.7mm
    无SVHC
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    36mg
    未说明
    未说明
    不合格
    20V
    20A
  • 添加型号
分立半导体产品相关产品
图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
IRLMS2002TRPBF IRLMS2002TRPBF Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 SOT-23-6 MOSFET N-CH 20V 6.5A 6-TSOP 对比
FDC608PZ FDC608PZ ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 MOSFET P-CH 20V 5.8A SSOT-6 对比
FDC637BNZ FDC637BNZ ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Trans MOSFET N-CH 20V 6.2A 6-Pin SuperSOT T/R 对比