FDC6333C备选型号: FDC6561AN
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- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 触点镀层
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 质量
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 电阻
- 最大功率耗散
- 终端形式
- 额定电流
- 通道数量
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 功率 - 最大
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- 极性/通道类型
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 场效应管技术
- 最大结点温度(Tj)
- 场效应管特性
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 附加功能
- 电压 - 额定直流
- 电压
- 电流
- 双电源电压
- ON SEMICONDUCTOR - FDC6333C - Dual MOSFET, N and P Channel, 2.5 A, 30 V, 0.095 ohm, 10 V, 1.8 VACTIVE (Last Updated: 2 days ago)10 WeeksTin表面贴装表面贴装SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6636mgSILICON2.5A 2A-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)PowerTrench®2017e3yes活跃1 (Unlimited)6EAR9995MOhm960mW鸥翼2.5A2Dual增强型MOSFET960mW4.5 ns700mWN and P-ChannelSWITCHING95m Ω @ 2.5A, 10V3V @ 250μA282pF @ 15V6.6nC @ 10V13ns30VN-CHANNEL AND P-CHANNEL13 ns2.5A1.8V25V-30VMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR150°C逻辑电平门1.8 V1mm3mm1.7mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅-----
- MOSFET 2N-CH 30V 2.5A SSOT6ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)10 WeeksTin表面贴装表面贴装SOT-23-6 Thin, TSOT-23-66-SILICON2-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)PowerTrench®2017e3yes活跃1 (Unlimited)6EAR9995mOhm960mW鸥翼2.5A-Dual增强型MOSFET960mW6 ns700mW2 N-Channel (Dual)SWITCHING95m Ω @ 2.5A, 10V3V @ 250μA220pF @ 15V3.2nC @ 5V10ns--10 ns2.5A-20V30VMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR-逻辑电平门1.8 V1mm3mm1.7mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅逻辑电平兼容30V30V24A30V
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | ZXMN3A01E6TA | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | SOT-23-6 | MOSFET 30V N-Chnl UMOS | 对比 |
![]() | IRLMS1503TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | SOT-23-6 | MOSFET N-CH 30V 3.2A 6-TSOP | 对比 |
| FDC6506P | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | Trans MOSFET P-CH 30V 1.8A 6-Pin SuperSOT T/R | 对比 |




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