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ON Semiconductor FDC6333C

Name: FDC6333C
Brand: ON Semiconductor
SKU: 1807-FDC6333C
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

FDC6333C

品牌

ON Semiconductor

utmel 编号

1807-FDC6333C

商品类别

晶体管 - FET，MOSFET - 阵列

封装

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

ON SEMICONDUCTOR - FDC6333C - Dual MOSFET, N and P Channel, 2.5 A, 30 V, 0.095 ohm, 10 V, 1.8 V

起订量

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FDC6333C ON Semiconductor ON SEMICONDUCTOR - FDC6333C - Dual MOSFET, N and P Channel, 2.5 A, 30 V, 0.095 ohm, 10 V, 1.8 V

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技术参数

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型号对比

ON Semiconductor FDC6333C重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
工厂交货时间

10 Weeks
触点镀层

Tin
底架

表面贴装
安装类型

表面贴装
包装/外壳

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
引脚数

6
质量

36mg
晶体管元件材料

SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

2.5A 2A
Number of Elements

2
Turn Off Delay Time

11 ns
操作温度

-55°C~150°C TJ
包装

Tape & Reel (TR)
系列

PowerTrench®
已出版

2017
JESD-609代码

e3
无铅代码

yes
零件状态

活跃
湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)
终止次数

6
ECCN 代码

EAR99
电阻

95MOhm
最大功率耗散

960mW
终端形式

鸥翼
额定电流

2.5A
通道数量

2
元素配置

Dual
操作模式

增强型MOSFET
功率耗散

960mW
接通延迟时间

4.5 ns
功率 - 最大

700mW
场效应管类型

N and P-Channel
晶体管应用

SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs

95m Ω @ 2.5A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds

282pF @ 15V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

6.6nC @ 10V
上升时间

13ns
漏源电压 (Vdss)

30V
极性/通道类型

N-CHANNEL AND P-CHANNEL
下降时间（典型值）

13 ns
连续放电电流(ID)

2.5A
阈值电压

1.8V
栅极至源极电压(Vgs)

25V
漏源击穿电压

-30V
场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大结点温度（Tj）

150°C
场效应管特性

逻辑电平门
栅源电压

1.8 V
高度

1mm
长度

3mm
宽度

1.7mm
达到SVHC

无SVHC
辐射硬化

无
RoHS状态

ROHS3 Compliant
无铅

无铅

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FDC6333C拓展信息

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