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FDC645N备选型号: FDC655BN
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- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 质量
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 电阻
- 端子表面处理
- 电压 - 额定直流
- 端子位置
- 终端形式
- 额定电流
- 通道数量
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏源击穿电压
- 双电源电压
- 最大结点温度（Tj）
- 栅源电压
- 高度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 触点镀层
- 附加功能
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 资历状况
- 反馈上限-最大值 (Crss)
- 长度
- 宽度
Trans MOSFET N-CH 30V 5.5A 6-Pin SuperSOT T/RACTIVE (Last Updated: 2 days ago)10 Weeks表面贴装表面贴装SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6636mgSILICON5.5A Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)PowerTrench®2001e3yes活跃1 (Unlimited)6EAR9926MOhmTin (Sn)30VDUAL鸥翼5.5A1Single增强型MOSFET1.6W8 nsN-ChannelSWITCHING26m Ω @ 6.2A, 10V2V @ 250μA1460pF @ 15V21nC @ 4.5V9ns±12V9 ns5.5A1.4V12V0.0055A30V30V150°C1.4 V1.1mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅--------- MOSFET N-CH 30V 6.3A SSOT-6ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)13 Weeks表面贴装表面贴装SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6636mgSILICON6.3A Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)PowerTrench®2006e3yes活跃1 (Unlimited)6EAR9925MOhm-30VDUAL鸥翼6.3A1Single增强型MOSFET1.6W6 nsN-ChannelSWITCHING25m Ω @ 6.3A, 10V3V @ 250μA570pF @ 15V15nC @ 10V4ns±20V4 ns6.3A1.9V20V-30V-150°C1.9 V1.1mm无SVHC-ROHS3 Compliant无铅TinULTRA-LOW RESISTANCE未说明未说明不合格90 pF3mm1.7mm
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| FDC855N | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | MOSFET N-CH 30V 6.1A 6-SSOT | 对比 |
| FDC8886 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | MOSFET 30V N-Channel Power Trench MOSFET | 对比 |
 | STT6N3LLH6 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | SOT-23-6 | MOSFET N-Ch 30V .025Ohm 6A STripFET VI | 对比 |
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