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FDC654P备选型号: DMP3105LVT-7
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- 晶体管元件材料
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- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 电阻
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- 电压 - 额定直流
- 端子位置
- 终端形式
- 额定电流
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 附加功能
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 通道数量
- DS 击穿电压-最小值
Trans MOSFET P-CH 30V 3.6A 6-Pin SuperSOT T/RACTIVE (Last Updated: 2 days ago)10 Weeks表面贴装表面贴装SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6636mgSILICON3.6A Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)PowerTrench®2017e3yes活跃1 (Unlimited)6EAR9975MOhmTin (Sn)-30VDUAL鸥翼-3.6ASingle增强型MOSFET1.6W6 nsP-ChannelSWITCHING75m Ω @ 3.6A, 10V3V @ 250μA298pF @ 15V9nC @ 10V13ns30V±20V13 ns3.6A-1.9V20V-30V1mm3mm1.7mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅-----
MOSFET P-CH 30V 3.1A TSOT26-15 Weeks表面贴装表面贴装SOT-23-6 Thin, TSOT-23-66-SILICON3.1A Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)-2011e3yes活跃1 (Unlimited)6EAR9975mOhmMatte Tin (Sn)-DUAL鸥翼-Single增强型MOSFET1.75W9.7 nsP-ChannelSWITCHING75m Ω @ 4.2A, 10V1.5V @ 250μA839pF @ 15V19.8nC @ 10V17.7ns30V±12V64 ns3.9A-12V-900μm2.9mm1.6mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅HIGH RELIABILITY26040130V- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| DMP3105LVT-7 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | MOSFET P-CH 30V 3.1A TSOT26 | 对比 |
 | IRLMS1503TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | SOT-23-6 | MOSFET N-CH 30V 3.2A 6-TSOP | 对比 |
| DMN3135LVT-7 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | MOSFET 2N-CH 30V 3.5A TSOT26 | 对比 |
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