您好，欢迎来到优特美尔 登录 注册有礼
我的订单 会员中心
订单状态 询价历史 我的收藏 地址管理
QQ在线咨询 电话0755-83328606
DEGSON海康连接器端子储存器硬盘闪存卡
IC分立半导体传感器
询价列表
购物车
0
首页 产品目录表 品牌库 BOM配单 行业资讯 资质认证 关于我们 联系我们
首页 全部分类 FDC654P vs FDC658P

FDC654P备选型号: FDC658P

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 生命周期状态
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 质量
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 电阻
  • 端子表面处理
  • 电压 - 额定直流
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 额定电流
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 触点镀层
  • 附加功能
  • 通道数量
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 最大结点温度（Tj）
  • ON Semiconductor
    FDC654P
    ON Semiconductor
    Trans MOSFET P-CH 30V 3.6A 6-Pin SuperSOT T/R
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    10 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
    6
    36mg
    SILICON
    3.6A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    2017
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    75MOhm
    Tin (Sn)
    -30V
    DUAL
    鸥翼
    -3.6A
    Single
    增强型MOSFET
    1.6W
    6 ns
    P-Channel
    SWITCHING
    75m Ω @ 3.6A, 10V
    3V @ 250μA
    298pF @ 15V
    9nC @ 10V
    13ns
    30V
    ±20V
    13 ns
    3.6A
    -1.9V
    20V
    -30V
    1mm
    3mm
    1.7mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDC658P
    ON Semiconductor
    ON SEMICONDUCTOR - FDC658P - MOSFET Transistor, P Channel, 4 A, 30 V, 0.041 ohm, 10 V, 1.7 V
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    10 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
    6
    36mg
    SILICON
    4A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    2017
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    50mOhm
    -
    -30V
    DUAL
    鸥翼
    -4A
    Single
    增强型MOSFET
    1.6W
    12 ns
    P-Channel
    SWITCHING
    50m Ω @ 4A, 10V
    3V @ 250μA
    750pF @ 15V
    12nC @ 5V
    14ns
    30V
    ±20V
    16 ns
    -4A
    -1.7V
    20V
    -30V
    1.1mm
    3mm
    1.7mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    Tin
    逻辑电平兼容
    1
    4A
    150°C
  • 添加型号
分立半导体产品相关产品
图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
DMP3105LVT-7 DMP3105LVT-7 Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 MOSFET P-CH 30V 3.1A TSOT26 对比
IRLMS1503TRPBF IRLMS1503TRPBF Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 SOT-23-6 MOSFET N-CH 30V 3.2A 6-TSOP 对比
DMN3135LVT-7 DMN3135LVT-7 Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 MOSFET 2N-CH 30V 3.5A TSOT26 对比