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首页 全部分类 FDC6561AN vs IRLMS1503TRPBF

FDC6561AN备选型号: IRLMS1503TRPBF

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  • 功率耗散
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  • 功率 - 最大
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
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  • 上升时间
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  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 双电源电压
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 终端
  • 端子位置
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • Vgs（最大值）
  • 反向恢复时间
  • 阈值电压
  • ON Semiconductor
    FDC6561AN
    ON Semiconductor
    MOSFET 2N-CH 30V 2.5A SSOT6
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    10 Weeks
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
    6
    SILICON
    2
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    2017
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    95mOhm
    逻辑电平兼容
    30V
    960mW
    鸥翼
    2.5A
    30V
    Dual
    24A
    增强型MOSFET
    960mW
    6 ns
    700mW
    2 N-Channel (Dual)
    SWITCHING
    95m Ω @ 2.5A, 10V
    3V @ 250μA
    220pF @ 15V
    3.2nC @ 5V
    10ns
    10 ns
    2.5A
    20V
    30V
    30V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    1.8 V
    1mm
    3mm
    1.7mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRLMS1503TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 3.2A 6-TSOP
    -
    12 Weeks
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    SOT-23-6
    6
    SILICON
    3.2A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2004
    e3
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    100mOhm
    超低电阻
    30V
    -
    鸥翼
    3.2A
    -
    Single
    -
    增强型MOSFET
    1.7W
    4.6 ns
    -
    N-Channel
    SWITCHING
    100m Ω @ 2.2A, 10V
    1V @ 250μA
    210pF @ 25V
    9.6nC @ 10V
    4.4ns
    2 ns
    3.2A
    20V
    30V
    -
    -
    -
    1 V
    1.143mm
    2.9972mm
    1.75mm
    无SVHC
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    SMD/SMT
    DUAL
    未说明
    未说明
    ±20V
    36 ns
    1V
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