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FDC8886备选型号: DMN3026LVT-7
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- 晶体管元件材料
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- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- HTS代码
- 端子位置
- 终端形式
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- JEDEC-95代码
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 反馈上限-最大值 (Crss)
- 高度
- 长度
- 宽度
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 电容量
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 通道数量
MOSFET 30V N-Channel Power Trench MOSFETACTIVE (Last Updated: 2 days ago)13 Weeks表面贴装表面贴装SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6636mgSILICON6.5A Ta 8A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)PowerTrench®2011e3yes活跃1 (Unlimited)6EAR99Tin (Sn)8541.29.00.95DUAL鸥翼Single增强型MOSFET1.6W5 nsN-ChannelSWITCHING23m Ω @ 6.5A, 10V3V @ 250μA465pF @ 15V7.4nC @ 10V1ns±20V1 ns6.5AMO-193AA20V8A0.023Ohm30V25 pF1mm3mm1.7mm无ROHS3 Compliant-----
MOSFET N-CH 30V 6.6A 6-SOT26-23 Weeks表面贴装表面贴装SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6--SILICON6.6A Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)-2014e3-活跃1 (Unlimited)6EAR99Matte Tin (Sn)-DUAL鸥翼Single增强型MOSFET-2.2 nsN-ChannelSWITCHING23m Ω @ 6.5A, 10V2V @ 250μA643pF @ 15V12.5nC @ 10V2.5ns±20V3 ns6.6A-20V-0.023Ohm30V-----ROHS3 Compliant643pF26030R-PDSO-G61- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| CPH6350-TL-W | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | Trans MOSFET P-CH 30V 6A 6-Pin CPH T/R | 对比 |
| FDC653N | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | ON SEMICONDUCTOR - FDC653N - Power MOSFET, N Channel, 30 V, 5 A, 0.035 ohm, SuperSOT, Surface Mount | 对比 |
| DMN3026LVT-7 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | MOSFET N-CH 30V 6.6A 6-SOT26 | 对比 |
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