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首页 全部分类 FDC8886 vs FDC653N

FDC8886备选型号: FDC653N

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  • 元素配置
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  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
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  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
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  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 反馈上限-最大值 (Crss)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 触点镀层
  • 终端
  • 电阻
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 通道数量
  • 阈值电压
  • 双电源电压
  • 最大结点温度（Tj）
  • 栅源电压
  • 达到SVHC
  • 无铅
  • ON Semiconductor
    FDC8886
    ON Semiconductor
    MOSFET 30V N-Channel Power Trench MOSFET
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    13 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
    6
    36mg
    SILICON
    6.5A Ta 8A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    2011
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    Tin (Sn)
    8541.29.00.95
    DUAL
    鸥翼
    Single
    增强型MOSFET
    1.6W
    5 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    23m Ω @ 6.5A, 10V
    3V @ 250μA
    465pF @ 15V
    7.4nC @ 10V
    1ns
    ±20V
    1 ns
    6.5A
    MO-193AA
    20V
    8A
    0.023Ohm
    30V
    25 pF
    1mm
    3mm
    1.7mm
    无
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDC653N
    ON Semiconductor
    ON SEMICONDUCTOR - FDC653N - Power MOSFET, N Channel, 30 V, 5 A, 0.035 ohm, SuperSOT, Surface Mount
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    10 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
    6
    30mg
    SILICON
    5A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    -
    1997
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    -
    -
    DUAL
    鸥翼
    Single
    增强型MOSFET
    1.6W
    7.5 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    35m Ω @ 5A, 10V
    2V @ 250μA
    350pF @ 15V
    17nC @ 10V
    12ns
    ±20V
    12 ns
    5A
    -
    20V
    5A
    -
    30V
    -
    1.1mm
    3mm
    1.7mm
    无
    ROHS3 Compliant
    Tin
    SMD/SMT
    35MOhm
    30V
    5A
    1
    1.7V
    30V
    150°C
    1.7 V
    无SVHC
    无铅
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