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FDD1600N10ALZD备选型号: FDD8424H-F085A
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- 生命周期状态
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- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 质量
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- HTS代码
- 终端形式
- JESD-30代码
- 元素配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 雪崩能量等级（Eas）
- 高度
- 长度
- 宽度
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 最大功率耗散
- 基本部件号
- 功率耗散
- 极性/通道类型
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 场效应管技术
- 场效应管特性
BOOSTFET N CH 100V 6.8A TO252-5LLAST SHIPMENTS (Last Updated: 6 days ago)表面贴装表面贴装TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD3260.37mgSILICON6.8A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)PowerTrench®2013e3yesObsolete1 (Unlimited)4EAR99Tin (Sn)8541.29.00.95鸥翼R-PSSO-G4Single增强型MOSFETDRAIN7 nsN-ChannelSWITCHING160m Ω @ 3.4A, 10V2.8V @ 250μA225pF @ 50V3.61nC @ 10V2ns±20V2 ns6.8A20V0.16Ohm100V5.08 mJ2.39mm6.73mm6.22mm无符合RoHS标准-------
MOSFET N/P-CH 40V 9A/6.5A DPAKLAST SHIPMENTS (Last Updated: 23 hours ago)表面贴装表面贴装TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD5260.37mg-9A 6.5A-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)PowerTrench®2006-yesObsolete1 (Unlimited)------Dual增强型MOSFET-7 nsN and P-Channel-24m Ω @ 9A, 10V3V @ 250μA1000pF @ 20V20nC @ 10V---6.5A20V-40V----无符合RoHS标准1.3WFDD842430WN-CHANNEL AND P-CHANNEL20AMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR逻辑电平门- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | DMC4029SK4-13 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 | TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD | MOSFET N/P-CH 40V 8.3A TO252 | 对比 |
 | FDD850N10LD | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD | MOSF N CH 100V 15.7A DPAK | 对比 |
| FDD8424H-F085A | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 | TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD | MOSFET N/P-CH 40V 9A/6.5A DPAK | 对比 |
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