您好，欢迎来到优特美尔 登录 注册有礼
我的订单 会员中心
订单状态 询价历史 我的收藏 地址管理
QQ在线咨询 电话0755-83328606
DEGSON海康连接器端子储存器硬盘闪存卡
IC分立半导体传感器
询价列表
购物车
0
首页 产品目录表 品牌库 BOM配单 行业资讯 资质认证 关于我们 联系我们
首页 全部分类 FDD3510H vs FDD86102

FDD3510H备选型号: FDD86102

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 生命周期状态
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 质量
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 系列
  • 包装
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 电阻
  • 端子表面处理
  • 最大功率耗散
  • 端子位置
  • 终端形式
  • JESD-30代码
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 极性/通道类型
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏源击穿电压
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • RoHS状态
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • 引脚数
  • 已出版
  • 元素配置
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • Vgs（最大值）
  • 阈值电压
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • ON Semiconductor
    FDD3510H
    ON Semiconductor
    MOSFET 80V Dual N & P-Chan PowerTrench
    ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
    8 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
    260.37mg
    SILICON
    4.3A 2.8A
    -55°C~150°C TJ
    PowerTrench®
    Tape & Reel (TR)
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    4
    EAR99
    80MOhm
    Tin (Sn)
    1.3W
    SINGLE
    鸥翼
    R-PSSO-G4
    增强型MOSFET
    3.1W
    N and P-Channel, Common Drain
    SWITCHING
    80m Ω @ 4.3A, 10V
    4V @ 250μA
    800pF @ 40V
    18nC @ 10V
    3ns
    N-CHANNEL AND P-CHANNEL
    5 ns
    2.8A
    20V
    4.3A
    80V
    37 mJ
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    ROHS3 Compliant
    无
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDD86102
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 100V 8A DPAK
    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
    8 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    260.37mg
    SILICON
    8A Ta 36A Tc
    -55°C~150°C TJ
    PowerTrench®
    Tape & Reel (TR)
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    -
    Tin (Sn)
    -
    -
    鸥翼
    R-PSSO-G2
    增强型MOSFET
    3.1W
    N-Channel
    SWITCHING
    24m Ω @ 8A, 10V
    4V @ 250μA
    1035pF @ 50V
    19nC @ 10V
    3ns
    -
    2.9 ns
    36A
    20V
    8A
    100V
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    无
    无铅
    3
    2006
    Single
    DRAIN
    7.6 ns
    ±20V
    3.1V
    0.024Ohm
    40A
    2.39mm
    6.73mm
    6.22mm
    无SVHC
  • 添加型号
分立半导体产品相关产品
图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
FDD86102 FDD86102 ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 MOSFET N-CH 100V 8A DPAK 对比
IPD350N06LGBTMA1 IPD350N06LGBTMA1 Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Trans MOSFET N-CH 60V 29A 3-Pin(2 Tab) TO-252 对比
STD15NF10T4 STD15NF10T4 STMicroelectronics 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Trans MOSFET N-CH 100V 23A 3-Pin(2 Tab) TO-252 T/R 对比