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首页 全部分类 FDD3510H vs IPD350N06LGBTMA1

FDD3510H备选型号: IPD350N06LGBTMA1

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  • 场效应管技术
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  • 额定电流
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • 资历状况
  • 配置
  • 箱体转运
  • 无卤素
  • Vgs（最大值）
  • 阈值电压
  • JEDEC-95代码
  • 最大双电源电压
  • 达到SVHC
  • ON Semiconductor
    FDD3510H
    ON Semiconductor
    MOSFET 80V Dual N & P-Chan PowerTrench
    ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
    8 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
    260.37mg
    SILICON
    4.3A 2.8A
    -55°C~150°C TJ
    PowerTrench®
    Tape & Reel (TR)
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    4
    EAR99
    80MOhm
    Tin (Sn)
    1.3W
    SINGLE
    鸥翼
    R-PSSO-G4
    增强型MOSFET
    3.1W
    N and P-Channel, Common Drain
    SWITCHING
    80m Ω @ 4.3A, 10V
    4V @ 250μA
    800pF @ 40V
    18nC @ 10V
    3ns
    N-CHANNEL AND P-CHANNEL
    5 ns
    2.8A
    20V
    4.3A
    80V
    37 mJ
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    ROHS3 Compliant
    无
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IPD350N06LGBTMA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 60V 29A 3-Pin(2 Tab) TO-252
    -
    18 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    -
    SILICON
    29A Tc
    -55°C~175°C TJ
    OptiMOS™
    Tape & Reel (TR)
    e3
    no
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    -
    Tin (Sn)
    -
    SINGLE
    鸥翼
    R-PSSO-G2
    增强型MOSFET
    68W
    N-Channel
    SWITCHING
    35m Ω @ 29A, 10V
    2V @ 28μA
    800pF @ 30V
    13nC @ 5V
    -
    -
    -
    29A
    20V
    -
    -
    80 mJ
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    -
    含铅
    3
    2008
    LOGIC LEVEL COMPATIBLE, AVALANCHE RATED
    60V
    未说明
    not_compliant
    29A
    未说明
    4
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    DRAIN
    不含卤素
    ±20V
    1.6V
    TO-252AA
    60V
    无SVHC
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