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首页 全部分类 FDD3510H vs STD15NF10T4

FDD3510H备选型号: STD15NF10T4

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  • 操作模式
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  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
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  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏源击穿电压
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  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • RoHS状态
  • 辐射硬化
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  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
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  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
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  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • ON Semiconductor
    FDD3510H
    ON Semiconductor
    MOSFET 80V Dual N & P-Chan PowerTrench
    ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
    8 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
    260.37mg
    SILICON
    4.3A 2.8A
    -55°C~150°C TJ
    PowerTrench®
    Tape & Reel (TR)
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    4
    EAR99
    80MOhm
    Tin (Sn)
    1.3W
    SINGLE
    鸥翼
    R-PSSO-G4
    增强型MOSFET
    3.1W
    N and P-Channel, Common Drain
    SWITCHING
    80m Ω @ 4.3A, 10V
    4V @ 250μA
    800pF @ 40V
    18nC @ 10V
    3ns
    N-CHANNEL AND P-CHANNEL
    5 ns
    2.8A
    20V
    4.3A
    80V
    37 mJ
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    ROHS3 Compliant
    无
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STD15NF10T4
    STMicroelectronics
    Trans MOSFET N-CH 100V 23A 3-Pin(2 Tab) TO-252 T/R
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    -
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    4.535924g
    SILICON
    23A Tc
    -55°C~175°C TJ
    STripFET™ II
    Tape & Reel (TR)
    e3
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    65mOhm
    Matte Tin (Sn) - annealed
    -
    -
    鸥翼
    R-PSSO-G2
    增强型MOSFET
    70W
    N-Channel
    SWITCHING
    65m Ω @ 12A, 10V
    4V @ 250μA
    870pF @ 25V
    40nC @ 10V
    45ns
    -
    17 ns
    23A
    20V
    -
    100V
    75 mJ
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    无
    无铅
    3
    DPAK_0068772
    100V
    260
    23A
    30
    STD15
    3
    1
    Single
    DRAIN
    60 ns
    ±20V
    3V
    60A
    175°C
    2.4mm
    6.6mm
    6.2mm
    无SVHC
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