FDD3690备选型号: DMN10H099SK3-13

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  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 生命周期状态
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 质量
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 电压 - 额定直流
  • 终端形式
  • 额定电流
  • JESD-30代码
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs(最大值)
  • 下降时间(典型值)
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • 电容量
  • 峰值回流焊温度(摄氏度)
  • Reach合规守则
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 通道数量
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 雪崩能量等级(Eas)
  • ON Semiconductor
    MOSFET 100V NCh PowerTrench
    ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
    8 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    260.37mg
    SILICON
    22A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    100V
    鸥翼
    22A
    R-PSSO-G2
    Single
    增强型MOSFET
    60W
    DRAIN
    11 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    64m Ω @ 5.4A, 10V
    4V @ 250μA
    1514pF @ 50V
    39nC @ 10V
    6.5ns
    ±20V
    10 ns
    22A
    20V
    0.064Ohm
    100V
    75A
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Diodes Incorporated
    MOSFET N-CH 100V 17A TO252
    -
    23 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    -
    SILICON
    17A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    -
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    -
    鸥翼
    -
    R-PSSO-G2
    Single
    增强型MOSFET
    -
    DRAIN
    5.4 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    80m Ω @ 3.3A, 10V
    3V @ 250μA
    1172pF @ 50V
    25.2nC @ 10V
    5.9ns
    ±20V
    7.3 ns
    17A
    20V
    0.08Ohm
    -
    20A
    -
    ROHS3 Compliant
    -
    2014
    e3
    Matte Tin (Sn)
    HIGH RELIABILITY
    1.172nF
    未说明
    not_compliant
    未说明
    1
    100V
    28.5 mJ
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