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首页 全部分类 FDD4685-F085 vs STD80N4F6

FDD4685-F085备选型号: STD80N4F6

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  • 晶体管元件材料
  • Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
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  • JESD-609代码
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  • 零件状态
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  • 附加功能
  • 终端形式
  • 基本部件号
  • JESD-30代码
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
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  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • ECCN 代码
  • 电阻
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • ON Semiconductor
    FDD4685-F085
    ON Semiconductor
    MOSFET P-CH 40V 32A DPAK
    表面贴装
    Tin
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    260.37mg
    SILICON
    1
    3V @ 250μA
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
    e3
    yes
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    1 (Unlimited)
    2
    ULTRA-LOW RESISTANCE
    鸥翼
    FDD4685
    R-PSSO-G2
    Single
    增强型MOSFET
    69W
    DRAIN
    8 ns
    P-Channel
    SWITCHING
    27m Ω @ 8.4A, 10V
    2380pF @ 20V
    27nC @ 5V
    15ns
    40V
    ±20V
    14 ns
    32A
    20V
    40A
    0.027Ohm
    -40V
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STD80N4F6
    STMicroelectronics
    MOSFET N-Ch 40V 80A STripFET VI DeepGate
    表面贴装
    -
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    -
    -
    80A Tc
    4V @ 250μA
    -55°C~175°C TJ
    Cut Tape (CT)
    Automotive, AEC-Q101, DeepGATE™, STripFET™ VI
    -
    -
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    STD80
    -
    Single
    -
    70W
    -
    10.5 ns
    N-Channel
    -
    6m Ω @ 40A, 10V
    2150pF @ 25V
    36nC @ 10V
    7.6ns
    -
    ±20V
    11.9 ns
    80A
    20V
    -
    -
    40V
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    EAR99
    6MOhm
    2.4mm
    6.6mm
    6.2mm
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