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首页 全部分类 FDD5810 vs FDD20AN06A0

FDD5810备选型号: FDD20AN06A0

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  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 晶体管元件材料
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  • JESD-609代码
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  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • 端子表面处理
  • 电压 - 额定直流
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
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  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • JESD-30代码
  • 资历状况
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 质量
  • 系列
  • 已出版
  • 电阻
  • ON Semiconductor
    FDD5810
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 60V 37A DPAK
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    SILICON
    7.4A Ta 37A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    e3
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    2
    Tin (Sn)
    60V
    鸥翼
    未说明
    35A
    未说明
    R-PSSO-G2
    不合格
    Single
    增强型MOSFET
    88W
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    22m Ω @ 32A, 10V
    2V @ 250μA
    1890pF @ 25V
    34nC @ 10V
    75ns
    ±20V
    34 ns
    37A
    TO-252AA
    20V
    7.4A
    0.022Ohm
    60V
    45 mJ
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDD20AN06A0
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 60V 45A D-PAK
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    -
    8A Ta 45A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    -
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -
    60V
    -
    -
    45A
    -
    -
    -
    Single
    -
    90W
    -
    N-Channel
    -
    20m Ω @ 45A, 10V
    4V @ 250μA
    950pF @ 25V
    19nC @ 10V
    98ns
    ±20V
    33 ns
    45A
    -
    20V
    -
    -
    60V
    -
    符合RoHS标准
    无铅
    260.37mg
    PowerTrench®
    2011
    47mOhm
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