FDD5810备选型号: STD30NF06LT4
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 端子表面处理
- 电压 - 额定直流
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 额定电流
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 资历状况
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- JEDEC-95代码
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 雪崩能量等级(Eas)
- RoHS状态
- 无铅
- 引脚数
- 质量
- 制造商包装标识符
- 系列
- ECCN 代码
- 电阻
- 附加功能
- 基本部件号
- 引脚数量
- 通道数量
- 接通延迟时间
- 阈值电压
- 最大结点温度(Tj)
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- MOSFET N-CH 60V 37A DPAK表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63SILICON7.4A Ta 37A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)e3yesObsolete1 (Unlimited)2Tin (Sn)60V鸥翼未说明35A未说明R-PSSO-G2不合格Single增强型MOSFET88WDRAINN-ChannelSWITCHING22m Ω @ 32A, 10V2V @ 250μA1890pF @ 25V34nC @ 10V75ns±20V34 ns37ATO-252AA20V7.4A0.022Ohm60V45 mJ符合RoHS标准无铅-------------------
- Trans MOSFET N-CH 60V 35A Automotive 3-Pin(2 Tab) DPAK T/R表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63SILICON35A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)e3-活跃1 (Unlimited)2Matte Tin (Sn)60V鸥翼26035A30R-PSSO-G2-Single增强型MOSFET70W-N-ChannelSWITCHING28m Ω @ 18A, 10V2.5V @ 250μA1600pF @ 25V31nC @ 5V105ns±20V25 ns35ATO-252AA20V--60V-ROHS3 Compliant无铅34.535924gDPAK_P032PSTripFET™EAR9928mOhm逻辑电平兼容STD30N3130 ns1.7V175°C2.5 V2.4mm6.6mm6.2mm无SVHC无
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | STD30NF06LT4 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | Trans MOSFET N-CH 60V 35A Automotive 3-Pin(2 Tab) DPAK T/R | 对比 |
![]() | STD35NF06LT4 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 60V 35A DPAK | 对比 |
![]() | FDD20AN06A0 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 60V 45A D-PAK | 对比 |




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