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首页 全部分类 FDD5810-F085 vs STD10P6F6

FDD5810-F085备选型号: STD10P6F6

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  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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  • 连续放电电流(ID)
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  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
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  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
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  • 电阻
  • 基本部件号
  • 阈值电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 达到SVHC
  • ON Semiconductor
    FDD5810-F085
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 60V 37A DPAK
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    29 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    260.37mg
    SILICON
    7.4A Ta 37A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    Tin (Sn)
    鸥翼
    R-PSSO-G2
    Single
    增强型MOSFET
    88W
    DRAIN
    12 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    22m Ω @ 32A, 10V
    2V @ 250μA
    1890pF @ 25V
    34nC @ 10V
    75ns
    ±20V
    34 ns
    7.7A
    TO-252AA
    20V
    7.4A
    0.022Ohm
    60V
    45 mJ
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STD10P6F6
    STMicroelectronics
    MOSFET P CH 60V 10A DPAK
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    -
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    -
    SILICON
    10A Tc
    175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    DeepGATE™, STripFET™ VI
    -
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    -
    鸥翼
    R-PSSO-G2
    Single
    增强型MOSFET
    35W
    DRAIN
    -
    P-Channel
    SWITCHING
    160m Ω @ 5A, 10V
    4V @ 250μA
    340pF @ 48V
    6.4nC @ 10V
    7ns
    ±20V
    10 ns
    10A
    -
    20V
    -
    -
    60V
    80 mJ
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    EAR99
    180MOhm
    STD10
    -4V
    40A
    无SVHC
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