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FDD6N50TM-F085备选型号: FDD6N50FTM
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- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
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- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
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- 漏源击穿电压
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- 晶体管元件材料
- 已出版
- JESD-609代码
- 终止次数
- ECCN 代码
- 电阻
- 端子表面处理
- 终端形式
- JESD-30代码
- 箱体转运
- 晶体管应用
- JEDEC-95代码
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级（Eas）
- 反馈上限-最大值 (Crss)
- 高度
- 长度
- 宽度
- 无铅
MOSFET N-CH 500V 6A DPAKACTIVE (Last Updated: 23 hours ago)4 Weeks表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-633260.37mg6A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)Automotive, AEC-Q101yes活跃1 (Unlimited)FDD6N50Single增强型MOSFET89W6 nsN-Channel900m Ω @ 3A, 10V5V @ 250μA9400pF @ 25V16.6nC @ 10V55ns±30V35 ns6A30V6A500V无ROHS3 Compliant-------------------- MOSFET N-CH 500V 5.5A DPAKACTIVE (Last Updated: 20 hours ago)4 Weeks表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-633260.37mg5.5A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)UniFET™yes活跃1 (Unlimited)FDD6N50Single增强型MOSFET89W17 nsN-Channel1.15 Ω @ 2.75A, 10V5V @ 250μA960pF @ 25V19.8nC @ 10V28.3ns±30V20.5 ns5.5A30V-500V无ROHS3 CompliantSILICON2013e32EAR991.15OhmTin (Sn)鸥翼R-PSSO-G2DRAINSWITCHINGTO-252AA22A270 mJ9.5 pF2.39mm6.73mm6.22mm无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| FDD8N50NZTM | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | Power MOSFET, N-Channel, UniFETTM II, 500 V, 6.5 A, 850 mO, DPAK | 对比 |
| FDD6N50FTM | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 500V 5.5A DPAK | 对比 |
 | STD10NM50N | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | STMICROELECTRONICS STD10NM50N MOSFET Transistor, N Channel, 7 A, 500 V, 0.53 ohm, 10 V, 3 V | 对比 |
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