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首页 全部分类 FDD6N50TM-F085 vs FDD8N50NZTM

FDD6N50TM-F085备选型号: FDD8N50NZTM

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  • 辐射硬化
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  • 晶体管元件材料
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  • 终止次数
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  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • 终端形式
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  • 箱体转运
  • 晶体管应用
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  • JEDEC-95代码
  • 漏极-源极导通最大电阻
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  • DS 击穿电压-最小值
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 高度
  • 长度
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  • ON Semiconductor
    FDD6N50TM-F085
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 500V 6A DPAK
    ACTIVE (Last Updated: 23 hours ago)
    4 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    260.37mg
    6A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    Automotive, AEC-Q101
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    FDD6N50
    Single
    增强型MOSFET
    89W
    6 ns
    N-Channel
    900m Ω @ 3A, 10V
    5V @ 250μA
    9400pF @ 25V
    16.6nC @ 10V
    55ns
    ±30V
    35 ns
    6A
    30V
    6A
    500V
    无
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
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    -
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    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDD8N50NZTM
    ON Semiconductor
    Power MOSFET, N-Channel, UniFETTM II, 500 V, 6.5 A, 850 mO, DPAK
    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
    6 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    260.37mg
    6.5A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    UniFET-II™
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    Single
    增强型MOSFET
    90W
    17 ns
    N-Channel
    850m Ω @ 3.25A, 10V
    5V @ 250μA
    735pF @ 25V
    18nC @ 10V
    34ns
    ±25V
    27 ns
    6.5A
    25V
    -
    -
    无
    ROHS3 Compliant
    SILICON
    2004
    e3
    2
    EAR99
    Tin (Sn)
    防静电
    鸥翼
    R-PSSO-G2
    DRAIN
    SWITCHING
    500V
    TO-252AA
    0.85Ohm
    26A
    500V
    287 mJ
    2.39mm
    6.73mm
    6.22mm
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