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FDD8586备选型号: FDD8780
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- 包装/外壳
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- 包装
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- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终端
- 电阻
- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- 元素配置
- 功率耗散
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 双电源电压
- 栅源电压
- 达到SVHC
- RoHS状态
- 无铅
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 质量
- 晶体管元件材料
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 附加功能
- 终端形式
- JESD-30代码
- 操作模式
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 晶体管应用
- JEDEC-95代码
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 高度
- 长度
- 宽度
- 辐射硬化
MOSFET N-CH 20V 35A DPAK表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63335A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)PowerTrench®2006Obsolete1 (Unlimited)SMD/SMT5.5MOhm20V35ASingle77WN-Channel5.5m Ω @ 35A, 10V2.5V @ 250μA2480pF @ 10V48nC @ 10V11ns±20V25 ns35A1.6V20V20V20V1.6 V无SVHC符合RoHS标准无铅------------------------ MOSFET N-CH 25V 35A TO-252AA表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63335A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)PowerTrench®2006活跃1 (Unlimited)-8.5MOhm25V35ASingle50WN-Channel8.5m Ω @ 35A, 10V2.5V @ 250μA1440pF @ 13V29nC @ 10V9ns±20V24 ns35A1.8V20V25V--无SVHCROHS3 Compliant无铅ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)10 Weeks260.37mgSILICONe3yes2EAR99Tin (Sn)雪崩 额定鸥翼R-PSSO-G2增强型MOSFETDRAIN7 nsSWITCHINGTO-252AA60A224A2.39mm6.73mm6.22mm无
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | IPD350N06LGBTMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | Trans MOSFET N-CH 60V 29A 3-Pin(2 Tab) TO-252 | 对比 |
| FDD8780 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 25V 35A TO-252AA | 对比 |
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