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首页 全部分类 FDD8586 vs IPD350N06LGBTMA1

FDD8586备选型号: IPD350N06LGBTMA1

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  • 栅源电压
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  • 无铅
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  • 晶体管元件材料
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  • 无铅代码
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • Reach合规守则
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 资历状况
  • 配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 晶体管应用
  • 无卤素
  • JEDEC-95代码
  • 最大双电源电压
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • ON Semiconductor
    FDD8586
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 20V 35A DPAK
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    35A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    2006
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    SMD/SMT
    5.5MOhm
    20V
    35A
    Single
    77W
    N-Channel
    5.5m Ω @ 35A, 10V
    2.5V @ 250μA
    2480pF @ 10V
    48nC @ 10V
    11ns
    ±20V
    25 ns
    35A
    1.6V
    20V
    20V
    20V
    1.6 V
    无SVHC
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IPD350N06LGBTMA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 60V 29A 3-Pin(2 Tab) TO-252
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    29A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    OptiMOS™
    2008
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    60V
    29A
    -
    68W
    N-Channel
    35m Ω @ 29A, 10V
    2V @ 28μA
    800pF @ 30V
    13nC @ 5V
    -
    ±20V
    -
    29A
    1.6V
    20V
    -
    -
    -
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    含铅
    18 Weeks
    SILICON
    e3
    no
    2
    EAR99
    Tin (Sn)
    LOGIC LEVEL COMPATIBLE, AVALANCHE RATED
    SINGLE
    鸥翼
    未说明
    not_compliant
    未说明
    4
    R-PSSO-G2
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    SWITCHING
    不含卤素
    TO-252AA
    60V
    80 mJ
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FDD8780 FDD8780 ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 MOSFET N-CH 25V 35A TO-252AA 对比