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首页 全部分类 FDD8586 vs FDD8796

FDD8586备选型号: FDD8796

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  • 质量
  • 晶体管元件材料
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  • 无铅代码
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • 终端形式
  • JESD-30代码
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 晶体管应用
  • JEDEC-95代码
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • ON Semiconductor
    FDD8586
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 20V 35A DPAK
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    35A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    2006
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    SMD/SMT
    5.5MOhm
    20V
    35A
    Single
    77W
    N-Channel
    5.5m Ω @ 35A, 10V
    2.5V @ 250μA
    2480pF @ 10V
    48nC @ 10V
    11ns
    ±20V
    25 ns
    35A
    1.6V
    20V
    20V
    20V
    1.6 V
    无SVHC
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDD8796
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 25V 35A DPAK
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    35A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    2006
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    5.7MOhm
    -
    -
    Single
    88W
    N-Channel
    5.7m Ω @ 35A, 10V
    2.5V @ 250μA
    2610pF @ 13V
    52nC @ 10V
    24ns
    ±20V
    57 ns
    35A
    -
    20V
    25V
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
    10 Weeks
    260.37mg
    SILICON
    e3
    yes
    2
    EAR99
    Tin (Sn)
    雪崩 额定
    鸥翼
    R-PSSO-G2
    增强型MOSFET
    DRAIN
    10 ns
    SWITCHING
    TO-252AA
    2.39mm
    6.73mm
    6.22mm
    无
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