FDFM2N111备选型号: ZXMN2A01E6TA
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- 型号:
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- 描述:
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 质量
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 电压 - 额定直流
- 端子位置
- 额定电流
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏源击穿电压
- 场效应管特性
- 高度
- 长度
- 宽度
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 已出版
- 电阻
- 附加功能
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- 通道数量
- 达到SVHC
- MOSFET DUAL Pwr MOSFET & SCHOTTKY DIODEACTIVE (Last Updated: 1 week ago)16 Weeks表面贴装表面贴装6-WDFN Exposed Pad6165.33333mgSILICON2V-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)PowerTrench®e4yes活跃1 (Unlimited)6EAR99Nickel/Palladium (Ni/Pd)20VDUAL4ASingle增强型MOSFET1.7W6 nsN-ChannelSWITCHING100m Ω @ 4A, 4.5V1.5V @ 250μA273pF @ 10V3.8nC @ 4.5V7ns±12V7 ns4A12V4A20VSchottky Diode (Isolated)750μm3mm3mm无ROHS3 Compliant无铅---------
- MOSFET 20V N-Chnl UMOS-17 Weeks表面贴装表面贴装SOT-23-6614.996898mgSILICON2.5A Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)-e3yes活跃1 (Unlimited)6EAR99Matte Tin (Sn)20VDUAL2.5ASingle增强型MOSFET1.7W2.49 nsN-ChannelSWITCHING120m Ω @ 4A, 4.5V700mV @ 250μA303pF @ 15V3nC @ 4.5V5.21ns±12V5.21 ns3.1A12V-20V-1.3mm3.1mm1.8mm无ROHS3 Compliant无铅2006120mOhm低阈值鸥翼2604061无SVHC
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IRLMS1902TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | SOT-23-6 | MOSFET N-CH 20V 3.2A 6-TSOP | 对比 |
![]() | IRF7101TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET 2N-CH 20V 3.5A 8-SOIC | 对比 |
![]() | ZXMN2A01E6TA | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | SOT-23-6 | MOSFET 20V N-Chnl UMOS | 对比 |





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