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FDFMJ2P023Z备选型号: FDFMA2P853
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- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
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- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
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- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
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- Vgs（最大值）
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- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 输入电容
- 场效应管特性
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- 辐射硬化
- RoHS状态
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- JESD-609代码
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- ECCN 代码
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- 端子位置
- 操作模式
- 箱体转运
- 晶体管应用
- JEDEC-95代码
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 高度
- 长度
- 宽度
- 无铅
MOSFET P-CH 20V 2.9A 6MLP表面贴装表面贴装6-WFDFN Exposed Pad6SC-75, MicroFET2.9A Ta1V @ 250μA-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)PowerTrench®2007Obsolete1 (Unlimited)150°C-55°CSingle1.4W5 nsP-Channel112mOhm @ 2.9A, 4.5V400pF @ 10V6.5nC @ 4.5V4ns20V±8V4 ns2.9A8V20V400pFSchottky Diode (Isolated)112mOhm112 mΩ无符合RoHS标准-------------------- MOSFET MLP 2X2 DUAL INTEGRATED PCH PO表面贴装表面贴装6-VDFN Exposed Pad6-2V1.3V @ 250μA-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)PowerTrench®-ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)1 (Unlimited)--Single1.4W9 nsP-Channel120m Ω @ 3A, 4.5V435pF @ 10V6nC @ 4.5V11ns-±8V11 ns3A8V20V-Schottky Diode (Isolated)--无ROHS3 Compliant16 Weeks40mgSILICONe4yes6EAR99120MOhmNickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)DUAL增强型MOSFETDRAINSWITCHINGMO-229VCCC2.2A750μm2mm2mm无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| FDFMA2P853 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | 6-VDFN Exposed Pad | MOSFET MLP 2X2 DUAL INTEGRATED PCH PO | 对比 |
| FDFMA2P853T | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | 6-UDFN Exposed Pad | MOSFET MOSFET/Schottky -20V Int. PCh PowerTrench | 对比 |
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