您好，欢迎来到优特美尔 登录 注册有礼
我的订单 会员中心
订单状态 询价历史 我的收藏 地址管理
QQ在线咨询 电话0755-83328606
DEGSON海康连接器端子储存器硬盘闪存卡
IC分立半导体传感器
询价列表
购物车
0
首页 产品目录表 品牌库 BOM配单 行业资讯 资质认证 关于我们 联系我们
首页 全部分类 FDM2509NZ vs FDME820NZT

FDM2509NZ备选型号: FDME820NZT

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 供应商器件包装
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 电压 - 额定直流
  • 最大功率耗散
  • 额定电流
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 功率 - 最大
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 输入电容
  • 场效应管特性
  • 漏源电阻
  • 最大rds
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 生命周期状态
  • 工厂交货时间
  • 质量
  • 晶体管元件材料
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 端子位置
  • JESD-30代码
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 晶体管应用
  • Vgs（最大值）
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • ON Semiconductor
    FDM2509NZ
    ON Semiconductor
    MOSFET 2N-CH 20V 8.7A 2X5MLP
    表面贴装
    表面贴装
    6-WFDFN Exposed Pad
    6
    6-MicroFET (2x5)
    8.7A
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    150°C
    -55°C
    20V
    2.2W
    8.7A
    2.2W
    11 ns
    800mW
    2 N-Channel (Dual)
    18mOhm @ 8.7A, 4.5V
    1.5V @ 250μA
    1200pF @ 10V
    17nC @ 4.5V
    15ns
    20V
    12 ns
    8.7A
    12V
    20V
    1.2nF
    逻辑电平门
    18mOhm
    18 mΩ
    无
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDME820NZT
    ON Semiconductor
    MOSFET N-channel PowerTrench MOSFET
    表面贴装
    表面贴装
    6-PowerUFDFN
    6
    -
    9A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    -
    2.1W
    9 ns
    -
    N-Channel
    18m Ω @ 9A, 4.5V
    1V @ 250μA
    865pF @ 10V
    8.5nC @ 4.5V
    5ns
    -
    5 ns
    9A
    12V
    20V
    -
    -
    -
    -
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
    16 Weeks
    30mg
    SILICON
    e4
    yes
    3
    EAR99
    Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
    DUAL
    S-PDSO-N3
    Single
    增强型MOSFET
    DRAIN
    SWITCHING
    ±12V
    9A
    500μm
    1.6mm
    1.6mm
  • 添加型号
分立半导体产品相关产品
图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
FDZ2553NZ FDZ2553NZ ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 18-WFBGA MOSFET 2N-CH 20V 9.6A BGA 对比
FDZ2553N FDZ2553N ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 18-WFBGA Trans MOSFET N-CH 20V 9.6A 18-Pin BGA T/R 对比