FDM2509NZ备选型号: FDZ2553N
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- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 供应商器件包装
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 电压 - 额定直流
- 最大功率耗散
- 额定电流
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 功率 - 最大
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 输入电容
- 场效应管特性
- 漏源电阻
- 最大rds
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- MOSFET 2N-CH 20V 8.7A 2X5MLP表面贴装表面贴装6-WFDFN Exposed Pad66-MicroFET (2x5)8.7A-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)PowerTrench®Obsolete1 (Unlimited)150°C-55°C20V2.2W8.7A2.2W11 ns800mW2 N-Channel (Dual)18mOhm @ 8.7A, 4.5V1.5V @ 250μA1200pF @ 10V17nC @ 4.5V15ns20V12 ns8.7A12V20V1.2nF逻辑电平门18mOhm18 mΩ无符合RoHS标准无铅
- Trans MOSFET N-CH 20V 9.6A 18-Pin BGA T/R表面贴装表面贴装18-WFBGA18-29 ns-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)PowerTrench®Obsolete1 (Unlimited)--20V2.1W9.6A2.1W--2 N-Channel (Dual)14m Ω @ 9.6A, 4.5V1.5V @ 250μA1299pF @ 10V17nC @ 4.5V11ns-11 ns9.6A12V20V-逻辑电平门---符合RoHS标准无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | FDZ2553N | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | 18-WFBGA | Trans MOSFET N-CH 20V 9.6A 18-Pin BGA T/R | 对比 |
| FDME820NZT | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 6-PowerUFDFN | MOSFET N-channel PowerTrench MOSFET | 对比 |



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