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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥4.931155
10
¥4.652029
100
¥4.38871
500
¥4.14029
1000
¥3.905936
ON Semiconductor FDM2509NZ
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- 对比
FDM2509NZ
1807-FDM2509NZ
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
6-WFDFN Exposed Pad
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MOSFET 2N-CH 20V 8.7A 2X5MLP
--最小包装量--
¥
总价: ¥
FDM2509NZ详情
ON Semiconductor FDM2509NZ重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
6-WFDFN Exposed Pad
引脚数
6
供应商器件包装
6-MicroFET (2x5)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
8.7A
Turn Off Delay Time
27 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
PowerTrench®
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
电压 - 额定直流
20V
最大功率耗散
2.2W
额定电流
8.7A
功率耗散
2.2W
接通延迟时间
11 ns
功率 - 最大
800mW
场效应管类型
2 N-Channel (Dual)
Rds On(Max)@Id,Vgs
18mOhm @ 8.7A, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.5V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1200pF @ 10V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
17nC @ 4.5V
上升时间
15ns
漏源电压 (Vdss)
20V
下降时间(典型值)
12 ns
连续放电电流(ID)
8.7A
栅极至源极电压(Vgs)
12V
漏源击穿电压
20V
输入电容
1.2nF
场效应管特性
逻辑电平门
漏源电阻
18mOhm
最大rds
18 mΩ
辐射硬化
无
RoHS状态
符合RoHS标准
无铅
无铅
FDM2509NZ拓展信息








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