FDMA1027PT备选型号: FDFMA2P853T
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- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 供应商器件包装
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 最大功率耗散
- 元素配置
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 功率 - 最大
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 输入电容
- 场效应管特性
- 漏源电阻
- 最大rds
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 已出版
- Vgs(最大值)
- MOSFET 2P-CH 20V 3A MICROFET表面贴装表面贴装6-VDFN Exposed Pad66-MicroFET (2x2)3A-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)PowerTrench®Obsolete1 (Unlimited)150°C-55°C700mWDual1.4W9 ns700mW2 P-Channel (Dual)120mOhm @ 3A, 4.5V1.3V @ 250μA435pF @ 10V6nC @ 4.5V11ns20V11 ns3A-700mV8V20V435pF逻辑电平门120mOhm120 mΩ无SVHC无符合RoHS标准--
- MOSFET MOSFET/Schottky -20V Int. PCh PowerTrench表面贴装表面贴装6-UDFN Exposed Pad6-3A Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)PowerTrench®Obsolete1 (Unlimited)---Single1.4W9 ns-P-Channel120m Ω @ 3A, 4.5V1.3V @ 250μA435pF @ 10V6nC @ 4.5V11ns-11 ns3A-8V20V-Schottky Diode (Isolated)---无符合RoHS标准2007±8V
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| FDFMA2P853T | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 6-UDFN Exposed Pad | MOSFET MOSFET/Schottky -20V Int. PCh PowerTrench | 对比 | |
| FDFMA2P859T | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 6-UDFN Exposed Pad | MOSFET P-CH 20V 3A MICROFET | 对比 |


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