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首页 全部分类 FDMA1029PZ vs IRLMS1902TRPBF

FDMA1029PZ备选型号: IRLMS1902TRPBF

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  • 场效应管特性
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  • 附加功能
  • 端子位置
  • 终端形式
  • JESD-30代码
  • Vgs（最大值）
  • ON Semiconductor
    FDMA1029PZ
    ON Semiconductor
    MOSFET 2P-CH 20V 3.1A MICROFET
    ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
    16 Weeks
    Gold
    表面贴装
    表面贴装
    6-VDFN Exposed Pad
    6
    40mg
    SILICON
    2
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    e4
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    SMD/SMT
    EAR99
    -20V
    1.4W
    -3.1A
    Dual
    增强型MOSFET
    1.4W
    DRAIN
    13 ns
    700mW
    2 P-Channel (Dual)
    SWITCHING
    95m Ω @ 3.1A, 4.5V
    1.5V @ 250μA
    540pF @ 10V
    10nC @ 4.5V
    11ns
    20V
    11 ns
    3.1A
    1V
    12V
    0.095Ohm
    -20V
    -20V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    -1 V
    750μm
    2mm
    2mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRLMS1902TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 20V 3.2A 6-TSOP
    -
    12 Weeks
    -
    表面贴装
    表面贴装
    SOT-23-6
    3
    -
    SILICON
    3.2A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    e3
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    -
    -
    20V
    -
    3.2A
    Single
    增强型MOSFET
    1.7W
    -
    7 ns
    -
    N-Channel
    SWITCHING
    100m Ω @ 2.2A, 4.5V
    700mV @ 250μA
    300pF @ 15V
    7nC @ 4.5V
    11ns
    -
    4 ns
    3.2A
    700mV
    12V
    -
    20V
    -
    -
    -
    700 mV
    1.143mm
    2.9972mm
    1.75mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    2004
    10Ohm
    Matte Tin (Sn)
    HIGH RELIABILITY
    DUAL
    鸥翼
    R-PDSO-G6
    ±12V
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