ON Semiconductor FDMA1029PZ
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FDMA1029PZ
1807-FDMA1029PZ
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
6-VDFN Exposed Pad
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MOSFET 2P-CH 20V 3.1A MICROFET
--最小包装量--
FDMA1029PZ详情
ON Semiconductor FDMA1029PZ重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
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生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
工厂交货时间
16 Weeks
触点镀层
Gold
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
6-VDFN Exposed Pad
引脚数
6
质量
40mg
晶体管元件材料
SILICON
Number of Elements
2
Turn Off Delay Time
37 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
PowerTrench®
JESD-609代码
e4
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
终端
SMD/SMT
ECCN 代码
EAR99
电压 - 额定直流
-20V
最大功率耗散
1.4W
额定电流
-3.1A
元素配置
Dual
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
1.4W
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
13 ns
功率 - 最大
700mW
场效应管类型
2 P-Channel (Dual)
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
95m Ω @ 3.1A, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.5V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
540pF @ 10V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
10nC @ 4.5V
上升时间
11ns
漏源电压 (Vdss)
20V
下降时间(典型值)
11 ns
连续放电电流(ID)
3.1A
阈值电压
1V
栅极至源极电压(Vgs)
12V
漏极-源极导通最大电阻
0.095Ohm
漏源击穿电压
-20V
双电源电压
-20V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
场效应管特性
逻辑电平门
栅源电压
-1 V
高度
750μm
长度
2mm
宽度
2mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
FDMA1029PZ拓展信息









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