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首页 全部分类 FDMA507PZ vs FDME910PZT

FDMA507PZ备选型号: FDME910PZT

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  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 已出版
  • 端子表面处理
  • JESD-30代码
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 反馈上限-最大值 (Crss)
  • ON Semiconductor
    FDMA507PZ
    ON Semiconductor
    Trans MOSFET P-CH 20V 7.8A 6-Pin MicroFET T/R
    ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
    16 Weeks
    Gold
    表面贴装
    表面贴装
    6-WDFN Exposed Pad
    6
    30mg
    SILICON
    7.8A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    e4
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    24MOhm
    DUAL
    Single
    增强型MOSFET
    2.4W
    DRAIN
    6.4 ns
    P-Channel
    SWITCHING
    24m Ω @ 7.8A, 5V
    1.5V @ 250μA
    2015pF @ 10V
    42nC @ 5V
    14ns
    20V
    ±8V
    96 ns
    7.8A
    -500mV
    8V
    -20V
    -500 mV
    750μm
    2mm
    2mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDME910PZT
    ON Semiconductor
    FDME910PZT P-Channel MOSFET, 8 A, 20 V PowerTrench, 6-Pin MLP ON Semiconductor
    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
    16 Weeks
    -
    表面贴装
    表面贴装
    6-PowerUFDFN
    6
    30mg
    SILICON
    8A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    e4
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    -
    DUAL
    Single
    增强型MOSFET
    2.1W
    DRAIN
    9 ns
    P-Channel
    SWITCHING
    24m Ω @ 8A, 4.5V
    1.5V @ 250μA
    2110pF @ 10V
    21nC @ 4.5V
    11ns
    20V
    ±8V
    46 ns
    8A
    -
    8V
    -20V
    -
    500μm
    1.6mm
    1.6mm
    -
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    2017
    Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
    S-PDSO-N3
    8A
    0.024Ohm
    330 pF
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