ON Semiconductor FDMA910PZ

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)

工厂交货时间

16 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

6-VDFN Exposed Pad

引脚数

6

质量

30mg

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

9.4A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V 4.5V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

2.4W Ta

Turn Off Delay Time

135 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

PowerTrench®

已出版

2006

JESD-609代码

e4

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)

端子位置

DUAL

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

2.4W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

9.4 ns

场效应管类型

P-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

20m Ω @ 9.4A, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1.5V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

2805pF @ 10V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

29nC @ 4.5V

上升时间

19ns

漏源电压 (Vdss)

20V

Vgs（最大值）

±8V

下降时间（典型值）

103 ns

连续放电电流(ID)

9.4A

阈值电压

-500mV

栅极至源极电压(Vgs)

8V

漏极-源极导通最大电阻

0.02Ohm

漏源击穿电压

-20V

反馈上限-最大值 (Crss)

580 pF

高度

750μm

长度

2mm

宽度

2mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅