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首页 全部分类 FDMC3020DC vs IRF8113TRPBF

FDMC3020DC备选型号: IRF8113TRPBF

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  • 操作模式
  • 功率耗散
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  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
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  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 已出版
  • 终端
  • 电阻
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 配置
  • 行间距
  • 双电源电压
  • 栅源电压
  • 无铅
  • ON Semiconductor
    FDMC3020DC
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 30V 40A POWER33
    ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
    8 Weeks
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    32.13mg
    SILICON
    17A Ta 40A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    Dual Cool™, PowerTrench®
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    S-PDSO-N5
    Single
    增强型MOSFET
    3W
    DRAIN
    9 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    6.25m Ω @ 12A, 10V
    3V @ 250μA
    1385pF @ 15V
    23nC @ 10V
    3ns
    ±20V
    2 ns
    17A
    1.9V
    MO-240BA
    20V
    40A
    0.00625Ohm
    30V
    60 mJ
    950μm
    3.3mm
    3.3mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF8113TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 17.2A 8-SOIC
    -
    12 Weeks
    -
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    -
    -
    17.2A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    -
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    EAR99
    -
    -
    增强型MOSFET
    2.5W
    -
    13 ns
    N-Channel
    -
    5.6m Ω @ 17.2A, 10V
    2.2V @ 250μA
    2910pF @ 15V
    36nC @ 4.5V
    8.9ns
    ±20V
    3.5 ns
    17.2A
    2.2V
    -
    20V
    -
    -
    30V
    -
    1.4986mm
    4.9784mm
    3.9878mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    2005
    SMD/SMT
    5.6MOhm
    30V
    16.6A
    Single
    6.3 mm
    30V
    2.2 V
    Contains Lead, Lead Free
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