FDMC7200备选型号: FDD6612A
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- 品牌:
- 描述:
- 工厂交货时间
- 生命周期状态
- 包装/外壳
- 安装类型
- 底架
- 引脚数
- 质量
- 晶体管元件材料
- 系列
- 包装
- 操作温度
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 最大功率耗散
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 通道数量
- 元素配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 功率 - 最大
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏源击穿电压
- 场效应管技术
- 场效应管特性
- 反馈上限-最大值 (Crss)
- 宽度
- 长度
- 高度
- RoHS状态
- 已出版
- 电阻
- 附加功能
- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- JESD-30代码
- 功率耗散
- Vgs(最大值)
- 阈值电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级(Eas)
- 栅源电压
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- 无铅
- MOSFET iFET - Smart Harvest23 WeeksACTIVE (Last Updated: 5 days ago)8-PowerWDFN表面贴装表面贴装8186mgSILICON38 nsPowerTrench®Tape & Reel (TR)-55°C~150°C TJe4yes活跃1 (Unlimited)8EAR99Nickel/Palladium/Gold/Silver (Ni/Pd/Au/Ag)900mW无铅未说明未说明2Dual增强型MOSFET排水源头13 ns700mW 900mW2 N-Channel (Dual)SWITCHING23.5m Ω @ 6A, 10V3V @ 250μA660pF @ 15V10nC @ 10V4ns6 ns8A20V6A30VMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR逻辑电平门30 pF3mm3mm800μmROHS3 Compliant---------------
- MOSFET N-CH 30V 9.5A DPAK10 WeeksACTIVE (Last Updated: 14 hours ago)TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63表面贴装表面贴装3260.37mgSILICON9.5A Ta 30A TcPowerTrench®Tape & Reel (TR)-55°C~175°C TJe3yes活跃1 (Unlimited)2EAR99Tin (Sn)-鸥翼---Single增强型MOSFETDRAIN9 ns-N-ChannelSWITCHING20m Ω @ 9.5A, 10V3V @ 250μA660pF @ 15V9.4nC @ 5V5ns4 ns30A20V9.5A30V---6.22mm6.73mm2.39mmROHS3 Compliant200420MOhm逻辑电平兼容30V30AR-PSSO-G236W±20V2V60A90 mJ2 V无SVHC无无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IRFTS8342TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | SOT-23-6 | MOSFET N-CH 30V 8.2A 6TSOP | 对比 |
![]() | FDD6612A | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 30V 9.5A DPAK | 对比 |




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