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首页 全部分类 FDMC7660 vs IRF8788PBF

FDMC7660备选型号: IRF8788PBF

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  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
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  • 资历状况
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  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 触点镀层
  • 终端
  • 电阻
  • 双电源电压
  • 恢复时间
  • 辐射硬化
  • ON Semiconductor
    FDMC7660
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 30V 20A 8-PQFN
    10 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    32.13mg
    SILICON
    20A Ta 40A Tc
    2.5V @ 250μA
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    2009
    e3
    yes
    ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    Tin (Sn)
    DUAL
    无铅
    未说明
    未说明
    S-PDSO-N5
    不合格
    Single
    增强型MOSFET
    2.3W
    DRAIN
    14 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    2.2m Ω @ 20A, 10V
    4830pF @ 15V
    86nC @ 10V
    6.8ns
    ±20V
    5.7 ns
    20A
    1.7V
    MO-240BA
    20V
    0.0022Ohm
    30V
    200A
    200 mJ
    1.7 V
    1.05mm
    3.3mm
    3.3mm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF8788PBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 24A 8-SO
    -
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    -
    SILICON
    2.5W Ta
    2.35V @ 100μA
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    2005
    -
    -
    Discontinued
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    -
    DUAL
    鸥翼
    -
    -
    -
    -
    Single
    增强型MOSFET
    2.5W
    -
    23 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    2.8m Ω @ 24A, 10V
    5720pF @ 15V
    66nC @ 4.5V
    24ns
    ±20V
    11 ns
    24A
    1.8V
    -
    20V
    -
    30V
    -
    230 mJ
    1.8 V
    1.5mm
    5mm
    4mm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    Tin
    SMD/SMT
    2.8MOhm
    30V
    36 ns
    无
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