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首页 全部分类 FDMC8200 vs BSZ0902NSATMA1

FDMC8200备选型号: BSZ0902NSATMA1

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  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • 栅源电压
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  • 高度
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  • 宽度
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  • RoHS状态
  • 无铅
  • 已出版
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  • 端子表面处理
  • Reach合规守则
  • 接通延迟时间
  • 无卤素
  • Vgs（最大值）
  • 最大双电源电压
  • ON Semiconductor
    FDMC8200
    ON Semiconductor
    MOSFET DUAL N-CHANNEL PowerTrench
    ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
    23 Weeks
    Gold
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerWDFN
    8
    186mg
    SILICON
    8A 12A
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    20MOhm
    900mW
    无铅
    未说明
    未说明
    不合格
    Dual
    增强型MOSFET
    2.2W
    DRAIN-SOURCE
    700mW 900mW
    2 N-Channel (Dual)
    SWITCHING
    20m Ω @ 6A, 10V
    3V @ 250μA
    660pF @ 15V
    10nC @ 10V
    4ns
    6 ns
    8A
    2.3V
    20V
    8A
    30V
    40A
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    2.3 V
    30 pF
    30ns
    750μm
    3mm
    3mm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    BSZ0902NSATMA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 30V 19A 8-Pin TSDSON EP T/R
    -
    18 Weeks
    -
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    -
    -
    19A Ta 40A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    OptiMOS™
    no
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    EAR99
    -
    -
    -
    未说明
    未说明
    -
    -
    -
    2.1W
    -
    -
    N-Channel
    -
    2.6m Ω @ 20A, 10V
    2V @ 250μA
    1700pF @ 15V
    26nC @ 10V
    5.2ns
    3.6 ns
    19A
    2V
    20V
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    含铅
    2013
    e3
    Tin (Sn)
    not_compliant
    4.2 ns
    无卤素
    ±20V
    30V
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