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首页 全部分类 FDMC8200S vs IRFHS8342TRPBF

FDMC8200S备选型号: IRFHS8342TRPBF

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  • RoHS状态
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  • 上升时间
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  • 阈值电压
  • ON Semiconductor
    FDMC8200S
    ON Semiconductor
    DUAL N CH MOSFET, POWERTRENCH, 30V, 18A, POWER33 - More Details
    23 Weeks
    ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
    8-PowerWDFN
    表面贴装
    表面贴装
    8
    186mg
    SILICON
    6A 8.5A
    2010
    PowerTrench®
    Tape & Reel (TR)
    -55°C~150°C TJ
    e4
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    20MOhm
    Nickel/Palladium/Gold/Silver (Ni/Pd/Au/Ag)
    1W
    增强型MOSFET
    2.5W
    排水源头
    700mW 1W
    2 N-Channel (Dual)
    SWITCHING
    20m Ω @ 6A, 10V
    3V @ 250μA
    660pF @ 15V
    10nC @ 10V
    18A
    20V
    6A
    30V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    2.3 V
    30 pF
    3mm
    3mm
    750μm
    ROHS3 Compliant
    无
    无SVHC
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRFHS8342TRPBF
    Infineon Technologies
    INFINEON IRFHS8342TRPBF MOSFET Transistor, N Channel, 8.8 A, 30 V, 0.013 ohm, 10 V, 1.8 VNew
    12 Weeks
    -
    6-PowerVDFN
    表面贴装
    表面贴装
    6
    -
    SILICON
    8.8A Ta 19A Tc
    2010
    HEXFET®
    Tape & Reel (TR)
    -55°C~150°C TJ
    e3
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    16MOhm
    Matte Tin (Sn)
    -
    增强型MOSFET
    2.1W
    DRAIN
    -
    N-Channel
    SWITCHING
    16m Ω @ 8.5A, 10V
    2.35V @ 25μA
    600pF @ 25V
    8.7nC @ 10V
    8.8A
    20V
    8.5A
    30V
    -
    -
    1.8 V
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    无
    无SVHC
    无铅
    DUAL
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    5.9 ns
    15ns
    ±20V
    5 ns
    1.8V
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