FDMC8554备选型号: IRF3717PBF
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 触点镀层
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 质量
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 端子位置
- 终端形式
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 高度
- 长度
- 宽度
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 电阻
- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- 阈值电压
- 雪崩能量等级(Eas)
- 恢复时间
- 栅源电压
- 达到SVHC
- MOSFET N-CH 20V 16.5A POWER33ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)23 WeeksTin表面贴装表面贴装8-PowerWDFN8165.33333mgSILICON16.5A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)PowerTrench®2006e4yes活跃1 (Unlimited)8EAR99Nickel/Palladium/Gold/Silver (Ni/Pd/Au/Ag)DUALFLATSingle增强型MOSFET2WDRAIN13 nsN-ChannelSWITCHING5m Ω @ 16.5A, 10V3V @ 250μA3380pF @ 10V62nC @ 10V10ns±20V7 ns16.5A20V72A0.005Ohm20V36A950μm3mm3mm无ROHS3 Compliant无铅--------
- MOSFET N-CH 20V 20A 8-SOIC---表面贴装表面贴装8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)8-SILICON20A Ta-55°C~150°C TJTubeHEXFET®2004e3-Discontinued1 (Unlimited)8EAR99Matte Tin (Sn)DUAL鸥翼Single增强型MOSFET2.5W-12 nsN-ChannelSWITCHING4.4m Ω @ 20A, 10V2.45V @ 250μA2890pF @ 10V33nC @ 4.5V14ns±20V6 ns20A20V--20V-1.4986mm4.9784mm3.9878mm无ROHS3 CompliantContains Lead, Lead Free4.4MOhm20V20A2V32 mJ32 ns2 V无SVHC
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IRL6297SDTRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | DirectFET™ Isometric SA | MOSFET 2N-CH 20V 15A DIRECTFET | 对比 |





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