ON Semiconductor FDMC8554

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)

工厂交货时间

23 Weeks

触点镀层

Tin

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-PowerWDFN

引脚数

8

质量

165.33333mg

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

16.5A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

2W Ta 41W Tc

Turn Off Delay Time

32 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

PowerTrench®

已出版

2006

JESD-609代码

e4

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

8

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Nickel/Palladium/Gold/Silver (Ni/Pd/Au/Ag)

端子位置

DUAL

终端形式

FLAT

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

2W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

13 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

5m Ω @ 16.5A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

3380pF @ 10V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

62nC @ 10V

上升时间

10ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

7 ns

连续放电电流(ID)

16.5A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

72A

漏极-源极导通最大电阻

0.005Ohm

漏源击穿电压

20V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

36A

高度

950μm

长度

3mm

宽度

3mm

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅