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首页 全部分类 FDMC8554 vs IRL6297SDTRPBF

FDMC8554备选型号: IRL6297SDTRPBF

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  • 端子表面处理
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 最大功率耗散
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 阈值电压
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • 达到SVHC
  • ON Semiconductor
    FDMC8554
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 20V 16.5A POWER33
    ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
    23 Weeks
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerWDFN
    8
    165.33333mg
    SILICON
    16.5A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    2006
    e4
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    Nickel/Palladium/Gold/Silver (Ni/Pd/Au/Ag)
    DUAL
    FLAT
    Single
    增强型MOSFET
    2W
    DRAIN
    13 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    5m Ω @ 16.5A, 10V
    3V @ 250μA
    3380pF @ 10V
    62nC @ 10V
    10ns
    ±20V
    7 ns
    16.5A
    20V
    72A
    0.005Ohm
    20V
    36A
    950μm
    3mm
    3mm
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRL6297SDTRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET 2N-CH 20V 15A DIRECTFET
    -
    12 Weeks
    -
    表面贴装
    表面贴装
    DirectFET™ Isometric SA
    8
    -
    -
    2
    -40°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2013
    -
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    EAR99
    -
    -
    -
    -
    增强型MOSFET
    1.7W
    -
    -
    2 N-Channel (Dual)
    -
    4.9m Ω @ 15A, 4.5V
    1.1V @ 35μA
    2245pF @ 10V
    54nC @ 10V
    -
    -
    -
    15A
    20V
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    1.7W
    20V
    800mV
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    无SVHC
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IRL6297SDTRPBF IRL6297SDTRPBF Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 DirectFET™ Isometric SA MOSFET 2N-CH 20V 15A DIRECTFET 对比