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首页 全部分类 FDMC8588 vs IRFH4234TRPBF

FDMC8588备选型号: IRFH4234TRPBF

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  • 元素配置
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  • 箱体转运
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  • Rds On(Max)@Id,Vgs
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  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
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  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 触点镀层
  • 已出版
  • 功率耗散
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 阈值电压
  • 达到SVHC
  • ON Semiconductor
    FDMC8588
    ON Semiconductor
    MOSFET Thin gate 25/12V NCh PowerTrench MOSFET
    ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
    10 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    32.13mg
    SILICON
    16.5A Ta 40A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    Tin (Sn)
    DUAL
    R-PDSO-N5
    Single
    增强型MOSFET
    DRAIN
    8 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    5m Ω @ 17A, 10V
    1.8V @ 250μA
    1228pF @ 13V
    12nC @ 4.5V
    3ns
    ±12V
    2 ns
    17A
    MO-240BA
    12V
    16.5A
    0.005Ohm
    25V
    60A
    29 mJ
    1mm
    3.4mm
    3.4mm
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRFH4234TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 25V 22A PQFN
    -
    -
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    5
    -
    -
    22A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Cut Tape (CT)
    HEXFET®
    -
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    EAR99
    -
    -
    -
    Single
    -
    -
    7.8 ns
    N-Channel
    -
    4.6m Ω @ 30A
    2.1V @ 25μA
    1011pF @ 13V
    17nC @ 10V
    30ns
    ±20V
    5.3 ns
    22A
    -
    20V
    60A
    -
    -
    -
    -
    900μm
    6mm
    5mm
    无
    符合RoHS标准
    无铅
    Copper, Silver, Tin
    2013
    3.5W
    25V
    1.6V
    无SVHC
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