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首页 全部分类 FDMC8588 vs NVTFS4C06NTAG

FDMC8588备选型号: NVTFS4C06NTAG

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  • 端子表面处理
  • 端子位置
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  • 元素配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 已出版
  • 终端形式
  • Reach合规守则
  • 参考标准
  • 配置
  • 漏源电压 (Vdss)
  • DS 击穿电压-最小值
  • ON Semiconductor
    FDMC8588
    ON Semiconductor
    MOSFET Thin gate 25/12V NCh PowerTrench MOSFET
    ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
    10 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    32.13mg
    SILICON
    16.5A Ta 40A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    Tin (Sn)
    DUAL
    R-PDSO-N5
    Single
    增强型MOSFET
    DRAIN
    8 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    5m Ω @ 17A, 10V
    1.8V @ 250μA
    1228pF @ 13V
    12nC @ 4.5V
    3ns
    ±12V
    2 ns
    17A
    MO-240BA
    12V
    16.5A
    0.005Ohm
    25V
    60A
    29 mJ
    1mm
    3.4mm
    3.4mm
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    NVTFS4C06NTAG
    ON Semiconductor
    MOSFET NFET U8FL 30V 71A 4.2MOHM
    ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
    18 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerWDFN
    8
    -
    SILICON
    21A Ta
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    -
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    Tin (Sn)
    DUAL
    S-PDSO-F5
    -
    增强型MOSFET
    DRAIN
    -
    N-Channel
    -
    4.2m Ω @ 30A, 10V
    2.2V @ 250μA
    1683pF @ 15V
    26nC @ 10V
    -
    ±20V
    -
    21A
    -
    20V
    71A
    0.0061Ohm
    -
    367A
    34 mJ
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    2014
    FLAT
    not_compliant
    AEC-Q101
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    30V
    30V
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