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首页 全部分类 FDMC86102LZ vs IPA60R230P6XKSA1

FDMC86102LZ备选型号: IPA60R230P6XKSA1

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  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
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  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 栅源电压
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  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 供应商器件包装
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 通道数量
  • 无卤素
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 最大双电源电压
  • 输入电容
  • 漏源电阻
  • 最大rds
  • ON Semiconductor
    FDMC86102LZ
    ON Semiconductor
    MOSFET 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
    ACTIVE (Last Updated: 14 hours ago)
    6 Weeks
    Gold, Silver
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerWDFN
    8
    165.33333mg
    SILICON
    7A Ta 18A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    2017
    e4
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    24MOhm
    Nickel/Palladium/Gold/Silver (Ni/Pd/Au/Ag)
    逻辑电平兼容
    DUAL
    260
    30
    S-PDSO-N5
    Single
    增强型MOSFET
    41W
    DRAIN
    7.1 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    24m Ω @ 6.5A, 10V
    2.2V @ 250μA
    1290pF @ 50V
    22nC @ 10V
    2.3ns
    ±20V
    2.5 ns
    7A
    20V
    7A
    100V
    30A
    1.6 V
    750μm
    3.3mm
    3.3mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IPA60R230P6XKSA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 600V TO220FP-3
    -
    18 Weeks
    -
    表面贴装
    通孔
    TO-220-3 Full Pack
    3
    6.000006g
    -
    16.8A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    CoolMOS™ P6
    2008
    -
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    12 ns
    N-Channel
    -
    230mOhm @ 6.4A, 10V
    4.5V @ 530μA
    1450pF @ 100V
    31nC @ 10V
    7ns
    ±20V
    6 ns
    16.8A
    20V
    -
    600V
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    PG-TO220-FP
    150°C
    -55°C
    1
    无卤素
    600V
    600V
    1.45nF
    207mOhm
    230 mΩ
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