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首页 全部分类 FDMC86160ET100 vs IRFH5053TRPBF

FDMC86160ET100备选型号: IRFH5053TRPBF

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  • 场效应管类型
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  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
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  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
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  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 已出版
  • 资历状况
  • 配置
  • 功率耗散
  • 阈值电压
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • ON Semiconductor
    FDMC86160ET100
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 100V 9A POWER33
    ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
    11 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerWDFN
    8
    152.7mg
    SILICON
    9A Ta 43A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    Tin (Sn)
    超低电阻
    DUAL
    无铅
    260
    not_compliant
    未说明
    S-PDSO-N5
    Single
    增强型MOSFET
    DRAIN
    9.7 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    14m Ω @ 9A, 10V
    4V @ 250μA
    1290pF @ 50V
    22nC @ 10V
    3.6ns
    ±20V
    3.4 ns
    43A
    MO-240BA
    20V
    9A
    0.014Ohm
    100V
    204A
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRFH5053TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 100V 9.3A PQFN56
    -
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerVDFN
    8
    -
    SILICON
    9.3A Ta 46A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    e3
    -
    活跃
    2 (1 Year)
    3
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    -
    DUAL
    无铅
    260
    -
    30
    R-PDSO-N3
    -
    增强型MOSFET
    DRAIN
    8.6 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    18m Ω @ 9.3A, 10V
    4.9V @ 100μA
    1510pF @ 50V
    36nC @ 10V
    14.6ns
    ±20V
    9.9 ns
    9.3mA
    -
    20V
    9.3A
    -
    100V
    75A
    ROHS3 Compliant
    无铅
    2005
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    3.1W
    3.7V
    3.7 V
    939.8μm
    5.9944mm
    5mm
    无SVHC
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