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首页 全部分类 FDMC86160ET100 vs STD45N10F7

FDMC86160ET100备选型号: STD45N10F7

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  • 箱体转运
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  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 达到SVHC
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 基本部件号
  • 通道数量
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • ON Semiconductor
    FDMC86160ET100
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 100V 9A POWER33
    11 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerWDFN
    8
    152.7mg
    SILICON
    9A Ta 43A Tc
    4V @ 250μA
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    e3
    yes
    ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    Tin (Sn)
    超低电阻
    DUAL
    无铅
    260
    未说明
    S-PDSO-N5
    Single
    增强型MOSFET
    DRAIN
    9.7 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    14m Ω @ 9A, 10V
    1290pF @ 50V
    22nC @ 10V
    3.6ns
    ±20V
    3.4 ns
    43A
    MO-240BA
    20V
    9A
    0.014Ohm
    100V
    204A
    not_compliant
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STD45N10F7
    STMicroelectronics
    MOSFET N-CH 100V 45A DPAK
    52 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    3.949996g
    SILICON
    45A Tc
    4.5V @ 250μA
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    DeepGATE™, STripFET™ VII
    -
    -
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    -
    -
    -
    鸥翼
    -
    -
    R-PSSO-G2
    Single
    增强型MOSFET
    DRAIN
    15 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    18m Ω @ 22.5A, 10V
    1640pF @ 50V
    25nC @ 10V
    17ns
    -
    8 ns
    45A
    -
    20V
    -
    -
    100V
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    STD45
    1
    2.4mm
    6.6mm
    6.2mm
    无
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