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首页 全部分类 FDMC86324 vs IRFHM8363TRPBF

FDMC86324备选型号: IRFHM8363TRPBF

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  • 元素配置
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  • 箱体转运
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  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
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  • 阈值电压
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
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  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 附加功能
  • 最大功率耗散
  • 基本部件号
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • 栅源电压
  • 无铅
  • ON Semiconductor
    FDMC86324
    ON Semiconductor
    MOSFET 80V N-Channel PowerTrench MOSFET
    ACTIVE (Last Updated: 22 hours ago)
    5 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    32.13mg
    SILICON
    7A Ta 20A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    2008
    e4
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    Nickel/Palladium (Ni/Pd)
    DUAL
    S-PDSO-N5
    Single
    增强型MOSFET
    41W
    DRAIN
    8 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    23m Ω @ 7A, 10V
    4V @ 250μA
    965pF @ 50V
    18nC @ 10V
    4ns
    ±20V
    4 ns
    7A
    3.1V
    MO-240BA
    20V
    7A
    0.023Ohm
    80V
    30A
    72 mJ
    1.05mm
    3.3mm
    3.3mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRFHM8363TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET 2N-CH 30V 11A 8PQFN
    -
    -
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerVDFN
    8
    -
    SILICON
    2
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2013
    e3
    -
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    -
    -
    Dual
    增强型MOSFET
    2.7W
    DRAIN
    14 ns
    2 N-Channel (Dual)
    SWITCHING
    14.9m Ω @ 10A, 10V
    2.35V @ 25μA
    1165pF @ 10V
    15nC @ 10V
    94ns
    -
    33 ns
    11A
    1.8V
    -
    20V
    -
    0.0149Ohm
    30V
    116A
    -
    -
    -
    -
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    HIGH RELIABILITY
    2.7W
    IRFHM8363PBF
    30V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    1.8 V
    无铅
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