您好，欢迎来到优特美尔 登录 注册有礼
我的订单 会员中心
订单状态 询价历史 我的收藏 地址管理
QQ在线咨询 电话0755-83328606
DEGSON海康连接器端子储存器硬盘闪存卡
IC分立半导体传感器
询价列表
购物车
0
首页 产品目录表 品牌库 BOM配单 行业资讯 资质认证 关于我们 联系我们
首页 全部分类 FDMC86570LET60 vs FDD86567-F085

FDMC86570LET60备选型号: FDD86567-F085

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 生命周期状态
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 质量
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • Reach合规守则
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 通道数量
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 最大结点温度（Tj）
  • 高度
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 晶体管元件材料
  • 制造商包装标识符
  • 终止次数
  • HTS代码
  • 终端形式
  • JESD-30代码
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 晶体管应用
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • DS 击穿电压-最小值
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • ON Semiconductor
    FDMC86570LET60
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 60V 56A POWER33
    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
    10 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerWDFN
    8
    152.7mg
    18A Ta 87A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    Tin (Sn)
    260
    not_compliant
    未说明
    1
    Single
    2.8W
    19 ns
    N-Channel
    4.3m Ω @ 18A, 10V
    3V @ 250μA
    4790pF @ 30V
    88nC @ 10V
    6.2ns
    ±20V
    3.9 ns
    18A
    20V
    60V
    175°C
    800μm
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDD86567-F085
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 60V 100A DPAK
    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
    38 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    -
    260.37mg
    100A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
    -
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    -
    260
    not_compliant
    未说明
    -
    Single
    227W
    -
    N-Channel
    3.2m Ω @ 80A, 10V
    4V @ 250μA
    4950pF @ 30V
    82nC @ 10V
    -
    ±20V
    -
    100A
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    -
    SILICON
    MKT-TO252A03REV11
    2
    8541.29.00.95
    鸥翼
    R-PSSO-G2
    增强型MOSFET
    DRAIN
    SWITCHING
    60V
    0.0032Ohm
    60V
    115 mJ
  • 添加型号
分立半导体产品相关产品
图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
FDD86567-F085 FDD86567-F085 ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 MOSFET N-CH 60V 100A DPAK 对比
IRFH5006TRPBF IRFH5006TRPBF Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 8-PowerTDFN INFINEON IRFH5006TRPBF MOSFET Transistor, N Channel, 21 A, 60 V, 0.0035 ohm, 10 V, 4 VNew 对比
IRFH5006TR2PBF IRFH5006TR2PBF Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 8-PowerTDFN MOSFET N-CH 60V 100A 5X6 PQFN 对比