ON Semiconductor FDMC86570LET60
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FDMC86570LET60
1807-FDMC86570LET60
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
8-PowerWDFN
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MOSFET N-CH 60V 56A POWER33
--最小包装量--
FDMC86570LET60详情
ON Semiconductor FDMC86570LET60重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
工厂交货时间
10 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-PowerWDFN
引脚数
8
质量
152.7mg
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
18A Ta 87A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V 10V
Power Dissipation (Max)
2.8W Ta 65W Tc
Turn Off Delay Time
38 ns
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
PowerTrench®
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
Reach合规守则
not_compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
通道数量
1
元素配置
Single
功率耗散
2.8W
接通延迟时间
19 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
4.3m Ω @ 18A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
4790pF @ 30V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
88nC @ 10V
上升时间
6.2ns
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
3.9 ns
连续放电电流(ID)
18A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
60V
最大结点温度(Tj)
175°C
高度
800μm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
FDMC86570LET60拓展信息
ON Semiconductor
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