FDMC89521L备选型号: FDS5670

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 生命周期状态
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 质量
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 电阻
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • 最大功率耗散
  • JESD-30代码
  • 通道数量
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 功率 - 最大
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 下降时间(典型值)
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 场效应管技术
  • 最大结点温度(Tj)
  • 场效应管特性
  • 反馈上限-最大值 (Crss)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 触点镀层
  • 电压 - 额定直流
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 额定电流
  • 配置
  • 电压
  • 电流
  • Vgs(最大值)
  • 阈值电压
  • 双电源电压
  • 栅源电压
  • 达到SVHC
  • ON Semiconductor
    MOSFET 60V Dual N-Channel Power Trench MOSFET
    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
    6 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerWDFN
    8
    196mg
    SILICON
    8.2A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    2010
    e4
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    17MOhm
    Nickel/Palladium/Gold/Silver (Ni/Pd/Au/Ag)
    雪崩能源评级
    800mW
    S-PDSO-N4
    2
    Dual
    增强型MOSFET
    1.9W
    DRAIN
    7.9 ns
    1.9W Ta 16W Tc
    2 N-Channel (Dual)
    SWITCHING
    17m Ω @ 8.2A, 10V
    3V @ 250μA
    1635pF @ 30V
    24nC @ 10V
    2.1ns
    1.7 ns
    8.2A
    20V
    60V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    150°C
    逻辑电平门
    15 pF
    800μm
    3mm
    3mm
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 60V 10A 8-SOIC
    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
    10 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    -
    SILICON
    10A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    1999
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    14MOhm
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    增强型MOSFET
    2.5W
    -
    16 ns
    -
    N-Channel
    SWITCHING
    14m Ω @ 10A, 10V
    4V @ 250μA
    2900pF @ 15V
    70nC @ 10V
    10ns
    23 ns
    10A
    20V
    60V
    -
    -
    -
    -
    1.5mm
    5mm
    4mm
    ROHS3 Compliant
    无铅
    Tin
    60V
    DUAL
    鸥翼
    10A
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    60V
    10A
    ±20V
    2.4V
    60V
    2.4 V
    无SVHC
  • 添加型号
分立半导体产品相关产品
图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
NVD5865NLT4G NVD5865NLT4G ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 MOSFET NFET 60V 34A 18MOHM 对比